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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE5104AESK |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特DDR2 SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 51/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | EDE5104AESK |
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EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
51
NOP
CK
/CK
T0
T-1
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DQS, /DQS
DQ
RL = 5
AL = 2
>
tRC
=
CL = 3
Auto precharge begins
CL = 3
out0
out2
out1
out3
Posted
READ
ACT
>
tRP
=
=
>
tRAS(min.)
A10 = 1
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank (tRAS lockout case)
(RL = 5, BL = 4 (AL = 2, CL = 3, internal tRCD = 3))
NOP
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DQS, /DQS
DQ
RL = 5
AL = 2
A10 = 1
>
tRC
=
CL = 3
CL = 3
Auto precharge begins
out0
out2
out1
out3
Posted
READ
ACT
NOP
>
tRP
=
=
>
tRAS(min.)
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank (tRP limit)
(RL = 5, BL = 4 (AL = 2, CL = 3, internal tRCD = 3)
READ
ACT
CK
/CK
T0
T2
T4
T6
T8
T10
T1
T3
T5
T7
T9
T11
Command
DQS, /DQS
DQ
NOP
RL = 5
AL = 2
A10 = 1
CL = 3
≥
tRP
Auto Precharge begins
out0 out1 out2 out3 out4 out5 out6 out7
≥
tRC
≥
tRAS (min.)
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank
(RL = 5, BL = 8 (AL = 2, CL = 3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| EDE5104AESK-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5104AGSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5104AGSE_1 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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