參數(shù)資料
型號(hào)： EDD2516AETA
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 256M bits DDR SDRAM
中文描述： 256M比特DDR內(nèi)存
文件頁數(shù)： 6/52頁
文件大小： 492K
代理商： EDD2516AETA
EDD2508AETA, EDD2516AETA
Data Sheet E0859E50 (Ver. 5.0)
6
DC Characteristics 1 (TA = 0
°
C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.6V ± 0.1V, VSS, VSSQ = 0V) [DDR400]
Parameter
Symbol
Grade
max.
Unit
Test condition
Notes
Operating current (ACT-PRE)
IDD0
110
mA
CKE
≥
VIH,
tRC = tRC (min.)
CKE
≥
VIH, BL = 4,CL = 3,
tRC = tRC (min.)
1, 2, 9
Operating current
(ACT-READ-PRE)
IDD1
140
mA
1, 2, 5
Idle power down standby current IDD2P
5
mA
CKE
≤
VIL
4
Floating idle standby current
IDD2F
35
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
4, 5
Quiet idle standby current
IDD2Q
35
mA
4, 10
Active power down standby
current
IDD3P
30
mA
CKE
≤
VIL
3
Active standby current
IDD3N
80
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
tRAS = tRAS (max.)
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 3
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 3
tRFC = tRFC (min.),
Input
≤
VIL or
≥
VIH
Input
≥
VDD – 0.2 V
Input
≤
0.2 V
3, 5, 6
Operating current
(Burst read operation)
Operating current
(Burst write operation)
IDD4R
215
mA
1, 2, 5, 6
IDD4W
215
mA
1, 2, 5, 6
Auto-refresh current
IDD5
225
mA
Self-refresh current
IDD6
5
mA
Operating current
(4 banks interleaving)
IDD7A
350
mA
BL = 4
1, 5, 6, 7
DC Characteristics 1 (TA = 0
°
C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V) [DDR333, 266]
Parameter
Symbol
Grade
max.
Unit
Test condition
Notes
Operating current (ACT-PRE)
IDD0
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
100
90
130
120
mA
CKE
≥
VIH,
tRC = tRC (min.)
CKE
≥
VIH, BL = 4,
CL = 2.5, tRC = tRC (min.)
1, 2, 9
Operating current
(ACT-READ-PRE)
IDD1
mA
1, 2, 5
Idle power down standby current IDD2P
5
mA
CKE
≤
VIL
4
Floating idle standby current
IDD2F
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
35
30
30
25
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
4, 5
Quiet idle standby current
IDD2Q
mA
4, 10
Active power down standby
current
IDD3P
30
mA
CKE
≤
VIL
3
Active standby current
IDD3N
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
75
70
185
155
185
155
200
175
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
tRAS = tRAS (max.)
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 2.5
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 2.5
tRFC = tRFC (min.),
Input
≤
VIL or
≥
VIH
Input
≥
VDD – 0.2 V
Input
≤
0.2 V
3, 5, 6
Operating current
(Burst read operation)
Operating current
(Burst write operation)
IDD4R
mA
1, 2, 5, 6
IDD4W
mA
1, 2, 5, 6
Auto-refresh current
IDD5
mA
Self-refresh current
IDD6
5
mA
Operating current
(4 banks interleaving)
IDD7A
-6B
-7A, -7B
300
250
mA
BL = 4
5, 6, 7
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PDF描述
EDD2516AETA-5B-E 256M bits DDR SDRAM
EDD2516AETA-5C-E 256M bits DDR SDRAM
EDD2516AETA-6B-E 256M bits DDR SDRAM
EDD2516AETA-7B-E 256M bits DDR SDRAM
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參數(shù)描述
EDD2516AETA-5B-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR SDRAM
EDD2516AETA-5C-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR SDRAM
EDD2516AETA-6B-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR SDRAM
EDD2516AETA-7A-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR SDRAM
EDD2516AETA-7B-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR SDRAM
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