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EPC2012
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
EFFICIENT POWER CONVERSIO
con
24+
-
電子元件

EPC2012
深圳市煌盛達科技有限公司
深圳市煌盛達科技有限公司
聯(lián)系人：賀小姐
電話：13689551749
地址：平湖華南城華利嘉
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
12000
EFFICIENT POWER CONVERSIO
原廠包裝
20+
-
現(xiàn)貨，期貨，原裝正品，誠信交易

EPC2012C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
494
EPC
LGA
21
-
瑞智芯只有原裝

EPC2012
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
EFFICIENT POWER CONVERSIO
con
24+
-
電子元件

EPC2012C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
474
EPC
LGA
20+
-
瑞智芯只做原裝

EPC2012C
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
2500
EPC
SMD
23+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

EPC2012
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2012
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6525
EPC
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
eGaN®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

EPC2012 技術(shù)參數(shù)

EPC2010CENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（7 焊條）標準包裝:1 EPC2010C 功能描述:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（7 焊條）標準包裝:1 EPC2010 功能描述:TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2007C 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標準包裝:1 EPC2007 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:205pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標準包裝:1 EPC2018 EPC2019 EPC2019ENG EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025