分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIZ902DT-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIZ902DT-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DUAL D-S 100 1:$1.63000
25:$1.29000
100:$1.16100
250:$1.01052
500:$0.90300
1,000:$0.70950
SIZ902DT-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 13.8A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 790pF @ 15V
功率 - 最大: 29W,66W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerWDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-PowerPair?
包裝: Digi-Reel®