分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIZ902DT-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIZ902DT-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DUAL D-S 100 1:$1.63000
25:$1.29000
100:$1.16100
250:$1.01052
500:$0.90300
1,000:$0.70950
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DUAL D-S 0 3,000:$0.60200
6,000:$0.57190
15,000:$0.54825
30,000:$0.53320
75,000:$0.51600
SIZ902DT-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 13.8A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 790pF @ 15V
功率 - 最大: 29W，66W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerWDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-PowerPair?
包裝: 剪切帶 (CT)