分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 CSD86311W1723品牌、價格、PDF參數(shù)

CSD86311W1723 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
CSD86311W1723 Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 0 1:$1.53000
10:$1.35600
25:$1.22400
100:$1.07100
250:$0.93924
500:$0.83300
1,000:$0.65875
CSD86311W1723 Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 0 1:$1.53000
10:$1.35600
25:$1.22400
100:$1.07100
250:$0.93924
500:$0.83300
1,000:$0.65875
CSD86311W1723 Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 0 3,000:$0.59500
6,000:$0.56500
15,000:$0.54400
30,000:$0.52700
75,000:$0.51000
CSD86311W1723 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 N 溝道（雙）
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 39 毫歐 @ 2A，8V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 585pF @ 12.5V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 12-UFBGA，DSBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 12-DSBGA（2.43x1.96）
包裝: Digi-Reel®