分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQ2360EES-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SQ2360EES-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SQ2360EES-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 2,164 1:$0.83000
25:$0.64280
100:$0.56700
250:$0.49140
500:$0.41580
1,000:$0.33075
SQ2360EES-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 0 3,000:$0.27405
6,000:$0.25515
15,000:$0.24570
30,000:$0.23625
75,000:$0.23247
150,000:$0.22680
SQ2360EES-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫歐 @ 6A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 370pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3（TO-236）
包裝: 剪切帶 (CT)