分離式半導體產品 IPD250N06N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPD250N06N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPD250N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 4,820 1:$0.96000
10:$0.82500
25:$0.73800
100:$0.65130
250:$0.56448
500:$0.47762
1,000:$0.37993
IPD250N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 4,820 1:$0.96000
10:$0.82500
25:$0.73800
100:$0.65130
250:$0.56448
500:$0.47762
1,000:$0.37993
IPD250N06N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 28A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 28A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 11µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 30V
功率 - 最大: 36W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝: PG-TO252-3
包裝: Digi-Reel®