分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ086P03NS3E G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSZ086P03NS3E G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 5,000 5,000:$0.40033
10,000:$0.38378
25,000:$0.37324
50,000:$0.36120
BSZ086P03NS3E G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 40A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.6 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1.9V @ 105µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 57.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4785pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝: 帶卷 (TR)