分離式半導體產品 IPB108N15N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPB108N15N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPB108N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 0 1:$4.80000
10:$4.31600
25:$3.91640
100:$3.51670
250:$3.19700
500:$2.79738
IPB016N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 0 1,000:$2.15250
IPB108N15N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 83A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10.8 毫歐 @ 83A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 160µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3230pF @ 75V
功率 - 最大: 214W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝: PG-TO263-2
包裝: Digi-Reel®