分離式半導體產(chǎn)品 IPB016N06L3 G品牌、價格、PDF參數(shù)
IPB016N06L3 G • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| IPB016N06L3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
0 |
1,000:$2.15250
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IPB016N06L3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
180A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
1.6 毫歐 @ 100A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
2.2V @ 196µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
166nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
28000pF @ 30V
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| 功率 - 最大: |
250W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
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| 供應商設備封裝: |
PG-TO263-7
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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