分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD096N08N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)
IPD096N08N3 G • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| IPD096N08N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
0 |
2,500:$0.65716
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| IPB34CN10N G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 |
0 |
1,000:$0.64920
|
| SPD07N20 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 200V 7A TO252 |
0 |
2,500:$0.50946
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IPD096N08N3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
80V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
73A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
9.6 毫歐 @ 46A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
3.5V @ 46µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
35nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
2410pF @ 40V
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| 功率 - 最大: |
100W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO252-3
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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