分離式半導體產(chǎn)品 IPP65R660CFD品牌、價格、PDF參數(shù)

IPP65R660CFD • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPP65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 6.0A TO220 0 10,000:$1.25736
BSC084P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 0
IPP65R660CFD • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 660 毫歐 @ 2.1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 200µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 615pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: PG-TO220-3
包裝: 管件