參數(shù)資料
型號(hào)： DS1350Y
元件分類： DRAM
英文描述： 4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
中文描述： 4096k非易失SRAM，帶有電池監(jiān)視器
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： DS1350Y
DS1350Y/AB
6 of 12
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WRITE CYCLE 2
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1350BL-100-IND NVRAM (Battery Based)
DS1350BL-70 NVRAM (Battery Based)
DS1350BL-70-IND NVRAM (Battery Based)
DS1350WP-150 NVRAM (Battery Based)
DS1350YL-100 NVRAM (Battery Based)
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參數(shù)描述
DS1350Y/AB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1350Y-70 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1350YL-100 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1350YL-100-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1350YL-70 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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