參數(shù)資料
型號(hào)： DS1220Y
英文描述： 16k Nonvolatile SRAM
中文描述： 16K非易失SRAM
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 164K
代理商： DS1220Y
DS1220Y
4 of 8
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
: See Note 10; V
CC
=5.0V ± 10%)
DS1220Y-100
DS1220Y-120
PARAMETER
SYM
MIN
MAX
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
100
120
Access Time
t
ACC
100
120
OE to Output
Valid
CE to Output
Valid
OE or CE to
Output Active
Output High Z
from Deslection
Output Hold from
Address Change
Write Cycle Time
t
WC
100
120
Write Pulse Width
t
WP
75
90
Address Setup
Time
Write Recovery
Time
t
WR2
10
10
Output High Z
from WE
Output Active
from WE
Data Setup Time
t
DS
40
50
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
10
10
DS1220Y-150
MIN
150
DS1220Y-200
MIN
200
MAX
MAX
UNITS
NOTE
ns
ns
150
200
t
OE
50
60
70
100
ns
t
CO
100
120
150
200
ns
t
COE
5
5
5
5
ns
5
t
OD
35
35
35
35
ns
5
t
OH
5
5
5
5
ns
150
100
200
150
ns
ns
3
t
AW
0
0
0
0
ns
t
WR1
0
0
0
10
0
10
ns
ns
12
13
t
ODW
35
35
35
35
ns
5
t
OEW
5
5
5
5
ns
5
60
0
10
80
0
10
ns
ns
ns
4
0
0
12
13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1220Y-100 16k Nonvolatile SRAM
DS1220Y-120 16k Nonvolatile SRAM
DS1220Y-150 16k Nonvolatile SRAM
DS1220Y-200 16k Nonvolatile SRAM
DS1220 16k Nonvolatile SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1220Y-100 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM
DS1220Y-100+ 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:NVRAM NVSRAM PARALLEL 16KBIT 5V - Rail/Tube
DS1220Y-100-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1220Y-100IND+ 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1220Y-120 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM
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