參數(shù)資料
型號: DS1220Y-150
廠商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類: Static RAM
英文描述: 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP24
封裝: 0.720 INCH, EXTENDED, DIP-24
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大?。?/td> 144K
代理商: DS1220Y-150
DS1220Y
8 of 8
PKG
24-PIN
DIM
MIN
MAX
A IN.
MM
1.320
33.53
1.340
34.04
B IN.
MM
0.695
17.65
0.720
18.29
C IN.
MM
0.390
9.91
0.415
10.54
D IN.
MM
0.100
2.54
0.130
3.30
E IN.
MM
0.017
0.43
0.030
0.76
F IN.
MM
0.120
3.05
0.160
4.06
G IN.
MM
0.090
2.29
0.110
2.79
H IN
MM
0.590
14.99
0.630
16.00
J IN.
MM
0.008
0.20
0.012
0.30
K IN.
MM
0.015
0.38
0.021
0.53
DS1220Y NONVOLATILE SRAM, 24-PIN 720-MIL EXTENDED MODULE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1220Y 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP24
DS1222S SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDSO16
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DS1225AB-170 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 170 ns, DMA28
DS1225AB 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28
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參數(shù)描述
DS1220Y-150+ 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1220Y-150-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1220Y-200 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1220Y-200+ 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1220Y-200-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)