| 型號： | DMG4511SK4-13 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 35V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 5.3A，5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫歐 @ 8mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 18.7nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.54W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-252-4L |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | DMG4511SK4-13DIDKR |