| 型號(hào)： |
DMG4511SK4-13 |
| 廠商： |
Diodes Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
5/9頁(yè) |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
N 和 P 溝道
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
35V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
5.3A，5A
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
35 毫歐 @ 8mA，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
3V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
18.7nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
850pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
1.54W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-252-4L
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
DMG4511SK4-13DIDKR
|