參數(shù)資料
型號： DF3A6.2FV
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 16.94 to 19.03; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
中文描述： 產(chǎn)品使用，但對靜電放電（ESD）保護。
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 136K
代理商： DF3A6.2FV
DF3A6.2FV
2007-11-01
2
Guaranteed Level of ESD Immunity
Test Condition
ESD Immunity Level
IEC61000-4-2
(Contact discharge)
±
30kV
Judgment contents: No element destruction
Marking
Equivalent Circuit
(top view)
IZ - VZ
0
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
Ta=25°C
0.1
0.001
Z
ZENER VOLTAGE VZ (V)
CT - VR
10
100
0
2
4
6
8
Ta=25°C
f=1MHz
T
REVERSE VOLTAGE VR (V)
6.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DF3A6.2LFE Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 16.94 to 17.70; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF3A6.2LFV Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 17.56 to 18.35; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF3A6.8FE DIODE ZENER SINGLE 500mW 3Vz 5mA-Izt 0.05 10uA-Ir 1 PowerDI-323 3K/REEL
DF3A6.8FU DIODES (DIODES FOR PROTECTING AGAINST ESD)
DF3A6.8LFU TOSHIBA Diodes For Protecting Against ESD Epitaxial Planar Type
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參數(shù)描述
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