參數(shù)資料
型號： DF2S12FS
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 8.85 to 9.23; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MPAK
中文描述： 產(chǎn)品使用，但對靜電放電（ESD）保護(hù)。
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 164K
代理商： DF2S12FS
DF2S12FS
2007-11-01
2
Guaranteed Level of ESD Immunity
Test Condition
ESD Immunity Level
IEC61000-4-2
(Contact discharge)
±
30 kV
Criterion: No damage to device elements
Marking
Equivalent Circuit
(Top View)
8
ZENER VOLTAGE VZ(V)
Z
REVERSE VOLTAGE VR(V)
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DF2S12FU Header Connector,PCB Mnt,RECEPT,24 Contacts,PIN,0.100 Pitch,R ANGLE PC TAIL Terminal,LOCKING MECH
DF2S12S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 9.15 to 9.55; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MPAK
DF3A6.2FE Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 9.45 to 10.55; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S16FS Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 9.45 to 9.87; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF2S16S Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 9.77 to 10.21; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
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參數(shù)描述
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DF2S12FU_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diodes for Protecting Against ESD
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