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參數(shù)資料
| 型號： | DD28F032SA-100 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32-MBIT (2 MBIT X 16, 4 MBIT X 8) FlashFile MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 8 FLASH 12V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 44/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1402K |
| 代理商： | DD28F032SA-100 |
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DD28F032SA
E
44
6.11 Erase and Word/Byte Write Performance, Cycling Performance
and Suspend Latency
(3)
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, V
PP
= 12.0V ± 0.6V, T
A
= 0°C to +70°C
Sym
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
Test Conditions
Page Buffer Byte Write Time
2,4
3.26
Note 6
μs
Page Buffer Word Write Time
2,4
6.53
Note 6
μs
t
WHRH
1
t
WHRH
2
t
WHRH
3
Word/Byte Program Time
2
9
Note 6 μs
Block Program Time
2
0.6
2.1
sec
Byte Program
Block Program Time
2
0.3
1.0
sec
Word Program
Block Erase Time
2
0.8
10
sec
sec
Full Chip Erase Time
Erase Suspend Latency Time
to Read
Auto Erase Suspend Latency
Time to Program
Erase Cycles
2
51.2
7.0
μs
10.0
μs
5
100,000 1,000,000
Cycles
V
CC
= 5.0V ± 0.5V, V
PP
= 12.0V ± 0.6V, T
A
= 0°C to +70°C
Sym
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
Test Conditions
Page Buffer Byte Write Time
2,4
2.76
Note 6
μs
Page Buffer Word Write Time
2,4
5.51
Note 6
μs
t
WHRH
1
t
WHRH
2
t
WHRH
3
Word/Byte Program Time
2
6
Note 6
μs
Block Program Time
2
0.4
2.1
sec
Byte Program
Block Program Time
2
0.2
1.0
sec
Word Program
Block Erase Time
2
0.6
10
sec
sec
Full Chip Erase Time
Erase Suspend Latency Time
to Read
Auto Erase Suspend Latency
Time to Program
Erase Cycles
2
38.4
5.0
μs
8.0
μs
5
100,000 1,000,000
Cycles
NOTES:
1.
+25°C, V
CC
= 3.3V or 5.0V nominal, V
PP
= 12.0V nominal, 10K cycles.
2. Excludes system-level overhead.
3. These performance numbers are valid for all speed versions.
4. This assumes using the full Page Buffer to program to the flash memory (256 bytes or 128words).
5. 1,000,000 cycle performance assumes the application uses block retirement techniques.
6. This information will be available in a technical paper. Please call Intel’s Application hotline or your local Intel sales office for
more information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DD28F032SA-150 | 32-MBIT (2 MBIT X 16, 4 MBIT X 8) FlashFile⑩ MEMORY |
| DD28F032SA100 | x8/x16 Flash EEPROM |
| DD28F032SA70 | x8/x16 Flash EEPROM |
| DD28F032SA | 32-Mbit (2 Mbit x 16,4 Mbit x 8) FlashFile Memory(32-M位 (2 M位 x 16,4 M位 x 8) FlashFile存儲器) |
| DD311A | Interface IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DD28F032SA-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:32-MBIT (2 MBIT X 16, 4 MBIT X 8) FlashFile⑩ MEMORY |
| DD28F032SA70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| DD28F032SA-70 | 制造商:Intel 功能描述:4M X 8 FLASH 3V PROM, 70 ns, 56 Pin Plastic SMT |
| D-D2A | 制造商:Leach International Corporation 功能描述:LATCHING RELAY - Bulk |
| DD2-B0-24-415-1G2-C | 制造商:Carling Technologies 功能描述:D-SERIES CIRCUIT BREAKER - Bulk |
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