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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CXK5T81000ATN-10LLX |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/10頁(yè) |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | CXK5T81000ATN-10LLX |
– 9 –
CXK5T81000ATN/AYN
1
–25 to +85°C
–25 to +70°C
+25°C
V
CC
= 2.0 to 3.6V
1
Chip disable to data retention mode
Data retention voltage
Data retention setup time
Recovery time
1
CE1
≥
Vcc – 0.2V, CE2
≥
Vcc – 0.2V (CE1 control) or CE2
≤
0.2V (CE2 control)
2
V
CC
= 3.3V, Ta = 25°C
V
DR
I
CCDR1
I
CCDR2
t
CDRS
t
R
2.0
—
—
—
—
0
5
—
—
—
0.4
0.48
2
—
—
3.6
24
12
—
28
—
—
V
μA
μA
ns
ns
Item
Symbol
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Data Retention Characteristics
(Ta = –25 to +85°C)
Data retention current
V
CC
= 3.0V
1
Data retention waveform
Low supply voltage data retention waveform (1)
(CE1 contol)
V
CC
2.7V
V
IH
V
DR
CE1
GND
t
CDRS
Data retention mode
CE1
≥
V
CC
– 0.2V
Low supply voltage data retention waveform (2)
(CE2 contol)
t
R
Data retention mode
t
R
t
CDRS
CE2
≤
0.2V
V
CC
2.7V
V
IL
CE2
V
DR
GND
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXO-108-FREQ-OUT20 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 80 MHz - 200 MHz, ECL 10KH OUTPUT |
| CXO-109H-FREQ-OUT27 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.5 MHz - 50 MHz, HCMOS OUTPUT |
| CXP81900M-U06R | 8-BIT, 16 MHz, MICROCONTROLLER, CQFP100 |
| CY1E484L-7JCR | 4K X 4 STANDARD SRAM, 7 ns, PQCC28 |
| CY25023KSXC-1T | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK5T81000ATN-12LLX | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:131072-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T81000AYM | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T81000AYM-10LLX | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T81000AYM-12LLX | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
| CXK5T81000AYN | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:131072-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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