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參數(shù)資料
| 型號： | CSA968 |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨塑料功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | CSA968 |
Continental Device India Limited
Data Sheet
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Collector current
Emitter current
Total power dissipation up to T
C
= 25°C
Junction temperature
Storage temperature
I
C
I
E
P
tot
T
j
T
stg
max.
max.
max.
max.
1.5
1.5
25
150
A
A
W
oC
oC
–65 to +150
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25°C unless otherwise specified
968 968A 968B
Collector cutoff current
I
E
= 0; V
CB
= 160 V
Emitter cut-off current
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
Breakdown voltages
I
C
= 10 mA; I
B
= 0
I
C
= 1 mA; I
E
= 0
I
E
= 1 mA; I
C
= 0
Saturation voltage
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
Base emitter on voltage
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V
D.C. current gain
I
C
= 100 mA; V
CE
= 5 V**
I
CBO
max.
1.0
μA
I
EBO
max.
1.0
μA
V
CEO
V
CBO
V
EBO
min.
min.
min.
160
160
180
180
5.0
200
200
V
V
V
V
CEsat
max.
1.5
V
V
BE(on)
max.
1.0
V
h
FE
min.
max.
70
240
Output capacitance at f = 1 MHz
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
Transition frequency
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V
C
o
typ.
30
pF
f
T
typ.
100
MHz
** h
FE
classification: O: 70-140 Y: 120-240
CSA968, CSA968A, CSA968B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSB1370 | PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |
| CSB1370D | PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |
| CSB1370E | PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |
| CSB1370F | PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |
| CSB631 | PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CSA968A | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS |
| CSA968AO | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB |
| CSA968AY | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB |
| CSA968B | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS |
| CSA968BO | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB |
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