參數(shù)資料
型號： CS5361GD16
英文描述： Analog IC
中文描述： 模擬IC
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： CS5361GD16
CS5361
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(0
°
C < T
A
< 70
°
C; 0
°
C < T
J
< 115
°
C; 7.0
V < V
CC
< 30 V; C
GATE(H)
= C
GATE(L)
=
1.0 nF, C
REF
= 0.1
μ
F, CV
CC
= 0.1
μ
F, C
ICOMP
= 0.1
μ
F; unless otherwise specified.)
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Voltage Error Amplifier
V
FB
Bias Current
V
FB
= 0 V
–
0.1
0.27
μ
A
V
COMP
Source Current
V
COMP
= 0.5 V to 3.3 V; V
FB
= 0.9 V
68
100
170
μ
A
V
COMP
Sink Current
V
COMP
= 0.5 V to 3.3 V; V
FB
= 1.1 V
60
100
160
μ
A
Open Loop DC Gain
Note 2
60
80
100
dB
Transconductance (Gm)
–
0.6
1.2
2.1
mA/V
Output Impedance
Note 2
1.4
8.3
47.6
M
PSRR @ 1.0 kHz
Note 2
60
85
–
dB
CMRR @ 1.0 kHz
Note 2
80
110
–
dB
Input Voltage Offset
1.0 V to 5.0 V
–5.0
–
6.5
mV
V
COMP
Max Voltage
V
REF(IN)
= 3.3 V, V
FB
= 3.2 V
3.9
5.0
6.5
V
V
COMP
Min Voltage
V
REF(IN)
= 3.3 V, V
FB
= 3.4 V
–
0.1
0.2
V
GATE(H) and GATE(L)
High Voltage (AC)
Note 2
V
CC
– 0.5
V
CC
–
V
Low Voltage (AC)
Note 2
–
0
0.5
V
Rise Time
For V
CC
> 10 V: Note 2
1.0 V < GATE(L) < 3.0 V,
V
CC
– 8.0 V < GATE(H) < V
CC
– 1.0 V;
For 7.0 V < V
CC
< 10 V:
1.0 V < GATE(L) < V
CC
– 1.0 V,
1.0 V < GATE(H) < V
CC
1.0 V
–
40
80
ns
Fall Time
For V
CC
> 10 V: Note 2
3.0 V > GATE(L) > 1.0 V,
V
CC
– 1.0 V > GATE(H) < V
CC
– 8.0 V;
For 7.0 V < V
CC
< 10 V:
V
CC
– 1.0 V > GATE(L) < 1.0 V,
V
CC
– 1.0 V > GATE(H) > 1.0 V
–
40
80
ns
GATE(H) to GATE(L) Delay
V
CC
– GATE(H) < 2.0 V, GATE(L) > 2.0 V
Note 2
40
80
110
ns
GATE(L) to GATE(H) Delay
GATE(L) < 2.0 V, V
CC
– GATE(H) > 2.0 V
Note 2
15
60
80
ns
GATE(L) Clamp to GND
–
4.0
5.0
6.0
V
GATE(H) Clamp to V
CC
–
–15
–12
–10
V
GATE(H) Sleep Clamp
I
GATE(H)
= 100
μ
A
–
V
CC
– 0.7
V
CC
– 1.0
V
GATE(L) Resistance to GND
–
20
50
100
k
GATE(H) Bias Clamp
I
GATE(H)
= 10
μ
A to GND in Bias mode
13
16
20
V
GATE(H) Bias Current
GATE(H) = V
CC
– 5.0 V
3.0
10
20
μ
A
2. Guaranteed by design, not 100% production tested.
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