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參數(shù)資料
| 型號： | CS18M |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
| 中文描述： | 1 A, 600 V, SCR, TO-18 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | CS18M |
CS18B
CS18D
CS18M
CS18N
SILICON CONTROLLED RECTIFIER
1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLTS
TO-18 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R1 (18-August 2004)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS18B series
types are hermetically sealed silicon controlled
rectifiers manufactured in a TO-18 case, designed
for
control
systems
applications.
and
sensing
circuit
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
CS18B CS18D CS18M CS18N
UNITS
Peak Repetitive Off-State Voltage
VDRM, VRRM
IT(RMS)
ITSM
I
2
t
200
400
600
800
V
RMS On-State Current (TC=90°C)
Nonrept. On-State Current
1.0
A
10
A
Fusing Current (t=10ms)
0.24
A
2
s
Peak Gate Current (t=10μs)
IGM
PGM
PG (AV)
Tstg
TJ
Θ
JC
Θ
JA
1.0
A
Peak Gate Dissipation (t=10μs)
2.0
W
Gate Dissipation
0.1
W
Storage Temperature
-40 to +150
°C
Junction Temperature
-40 to +125
°C
Thermal Resistance
32
°C/W
Thermal Resistance
200
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Rated VDRM, VRRM, RGK=1.0K
Rated VDRM, VRRM, RGK=1.0K
,
TC=125°C
MIN
TYP
MAX
UNITS
IDRM, IRRM
1.0
μA
IDRM, IRRM
0.1
mA
VTM
IT=2.0A
VD=12V, RL=10
VD=12V, RL=10
RGK=1.0K
VD=0.67V x VDRM,RGK=1.0K
,
TC=125°C
1.6
2.15
V
IGT
20
200
μA
VGT
0.65
0.8
V
IH
0.5
5.0
mA
dv/dt
25
V/μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CS18N | SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
| CS1E221MC | CHIP TYPE, STANDARD |
| CS1A100LC | CHIP TYPE, STANDARD |
| CS1A100LR | CHIP TYPE, STANDARD |
| CS1A100LT | CHIP TYPE, STANDARD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CS18N | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
| CS-18N13C | 功能描述:同軸開關(guān) RoHS:否 制造商:Teledyne Relays 觸點形式:SPDT 頻率:18 GHz 線圈電壓:12 VDC 端接類型:SMA VSWR:1.5 介入損耗:0.5 dB 絕緣:60 dB |
| CS-18N13C-T | 功能描述:同軸開關(guān) RoHS:否 制造商:Teledyne Relays 觸點形式:SPDT 頻率:18 GHz 線圈電壓:12 VDC 端接類型:SMA VSWR:1.5 介入損耗:0.5 dB 絕緣:60 dB |
| CS-18N13O | 功能描述:同軸開關(guān) RoHS:否 制造商:Teledyne Relays 觸點形式:SPDT 頻率:18 GHz 線圈電壓:12 VDC 端接類型:SMA VSWR:1.5 介入損耗:0.5 dB 絕緣:60 dB |
| CS-18N13O-T | 功能描述:同軸開關(guān) RoHS:否 制造商:Teledyne Relays 觸點形式:SPDT 頻率:18 GHz 線圈電壓:12 VDC 端接類型:SMA VSWR:1.5 介入損耗:0.5 dB 絕緣:60 dB |
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