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參數(shù)資料
| 型號： | CR08AS-8 |
| 英文描述： | CR08AS-8 CR08AS-12 Datasheet 102K/MAR.20.03 |
| 中文描述： | CR08AS - 8 CR08AS - 12數(shù)據(jù)102K/MAR.20.03 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | CR08AS-8 |
Jan.2000
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR
THYRISTOR
CR08AS
LOW POWER USE
NON-INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE
10
2
10
–2
10
0
10
1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
23 57
23 57
10
1
23 57
10
2
23 57
23
10
–1
V
FGM
= 6V
V
GT
= 0.8V
I
GT
= 100μA
(T
j
= 25°C)
P
GM
= 0.5W
P
G(AV)
= 0.1W
V
GD
= 0.2V
I
FGM
= 0.3A
160
60
–20
–40
0
20 40
80 100120140
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
TYPICAL EXAMPLE
1.0
0.8
0.7
0.6
0.3
0.4
0.1
0
–40 –20
120
20
80
0.2
0.5
0.9
0
60
40
100
TYPICAL EXAMPLE
DISTRIBUTION
1.6
1.2
0.6
0.4
0.2
1.4
1.0
0.8
0
1.6
0
0.4
0.8
1.2 1.4
0.2
0.6
1.0
θ
360°
θ
= 30° 60°
120°
180°
90°
RESISTIVE, INDUCTIVE LOADS
MAXIMUM AVERAGE POWER DISSIPATION
(SINGLE-PHASE HALF WAVE)
A
AVERAGE ON-STATE CURRENT (A)
MAXIMUM TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(JUNCTION TO AMBIENT)
2 3
10
0
5 710
1
2 3 5 710
2
2 3 5 710
3
10
3
7
5
3
2
T
TIME (s)
ALLOWABLE AMBIENT TEMPERATURE VS.
AVERAGE ON-STATE CURRENT
(SINGLE-PHASE HALF WAVE)
160
25 25 t0.7
A
AVERAGE ON-STATE CURRENT (A)
GATE TRIGGER VOLTAGE VS.
JUNCTION TEMPERATURE
G
JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
GATE CURRENT (mA)
GATE TRIGGER CURRENT VS.
JUNCTION TEMPERATURE
JUNCTION TEMPERATURE (°C)
10
1
2 3
10
–3
5 710
–2
2 3 5 710
–1
2 3 5 710
0
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0
ALUMINUM BOARD
WITH SOLDERING
25 25 t0.7
120
60
40
20
140
100
80
0
1.6
0
0.4
0.8
1.2 1.4
0.2
0.6
1.0
θ
= 30°
60° 120°
90° 180°
θ
360°
RESISTIVE,
INDUCTIVE
LOADS
NATURAL
CONVECTION
ALUMINUM BOARD
WITH SOLDERING
GATE CHARACTERISTICS
1
G
j
G
j
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CR10TE | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 850NM PEAK WAVELENGTH | 1M | CHIP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CR0912HB-A73GL | 制造商:Comair Rotron 功能描述: |
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