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參數(shù)資料
| 型號： | CR08AS-8 |
| 英文描述： | CR08AS-8 CR08AS-12 Datasheet 102K/MAR.20.03 |
| 中文描述： | CR08AS - 8 CR08AS - 12數(shù)據(jù)102K/MAR.20.03 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | CR08AS-8 |
Jan.2000
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR
THYRISTOR
CR08AS
LOW POWER USE
NON-INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE
CR08AS
APPLICATION
Solid state relay, strobe flasher, ignitor, hybrid IC
I
T (AV)
........................................................................0.8A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
GT
.........................................................................100
μ
A
Symbol
V
RRM
V
RSM
V
R (DC)
V
DRM
V
D (DC)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Non-repetitive peak reverse voltage
DC reverse voltage
Repetitive peak off-state voltage
DC off-state voltage
8
1
8
1
Voltage class
Unit
V
V
V
V
V
MAXIMUM RATINGS
8 (marked “AD”)
400
500
320
400
320
12 (marked “AF”)
600
720
480
600
480
Symbol
I
T (RMS)
I
T (AV)
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G (AV)
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
stg
—
Parameter
RMS on-state current
Average on-state current
Surge on-state current
I
2t
for fusing
Peak gate power dissipation
Average gate power dissipation
Peak gate forward voltage
Peak gate reverse voltage
Peak gate forward current
Junction temperature
Storage temperature
Weight
Conditions
Commercial frequency, sine half wave, 180
°
conduction, T
a
=51
°
C
8
2
60Hz sine half wave 1 full cycle, peak value, non-repetitive
Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, surge on-state
current
Typical value
Unit
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°
C
°
C
mg
Ratings
1.26
0.8
10
0.42
0.5
0.1
6
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
48
8
1. With Gate-to-cathode resistance R
GK
=1k
CATHODE
ANODE
GATE
4.4
±
0.1
1.6
±
0.2
1.5
±
0.1
0.4
±
0.07
0
2
±
0
3
±
0
0.4
+0.03
(Back side)
OUTLINE DRAWING
Dimensions
in mm
SOT-89
0.5
±
0.07
1.5
±
0.11.5
±
0.1
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