參數(shù)資料
型號(hào): CPV362M4F
英文描述: 600V Fast 1-8 kHz 3-Phase Bridge IGBT in a IMS-2 package
中文描述: 600V的快速1-8千赫3相IGBT的橋在IMS的2包
文件頁數(shù): 9/10頁
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代理商: CPV362M4F
CPV362M4F
Vg
GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Figure 19.
Clamped Inductive Load Test
Circuit
Figure 20.
Pulsed Collector Current
Test Circuit
R
L
=
480V
4 X I
C
@25°C
0 - 480V
Figure 18e.
Macro Waveforms for
Figure 18a's
Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CPY155A TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 250V V(BR)DSS | 11A I(D)
CPY135P TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 250V V(BR)DSS | 19A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CPV362M4U 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CPV362M4UPBF 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 7.2A 600V IMS-2
CPV362MF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT