參數(shù)資料
型號(hào)： CPV362M4F
英文描述： 600V Fast 1-8 kHz 3-Phase Bridge IGBT in a IMS-2 package
中文描述： 600V的快速1-8千赫3相IGBT的橋在IMS的2包
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商： CPV362M4F
CPV362M4F
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CES
/
T
J
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage –––
V
CE(on)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Parameter
Q
g
Total Gate Charge (turn-on)
Q
ge
Gate - Emitter Charge (turn-on)
Q
gc
Gate - Collector Charge (turn-on)
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
ts
Total Switching Loss
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
Min. Typ. Max. Units
–––
30
–––
4.0
–––
13
–––
49
–––
22
–––
200
–––
214
–––
0.23
–––
0.33
–––
0.45 0.70
–––
48
–––
25
–––
435
–––
364
–––
0.93
–––
340
–––
63
–––
5.9
–––
37
–––
55
–––
3.5
–––
4.5
–––
65
–––
124
–––
240
–––
210
Conditions
I
C
= 4.8A
V
CC
= 400V
See Fig. 8
T
J
= 25°C
I
C
= 4.8A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 50
Energy losses include "tail" and
diode reverse recovery
See Fig. 9, 10, 18
45
6.0
20
–––
–––
300
320
–––
–––
nC
ns
mJ
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
55
90
50
8.0
138
360
–––
–––
T
J
= 150°C, See Fig. 10,11, 18
I
C
= 4.8A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 50
Energy losses include "tail" and
diode reverse recovery
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
= 1.0MHz
T
J
= 25°C See Fig.
T
J
= 125°C 14 I
F
= 8.0A
T
J
= 25°C See Fig.
T
J
= 125°C 15 V
R
= 200V
T
J
= 25°C See Fig.
T
J
= 125°C 16 di/dt = 200A/μs
T
J
= 25°C See Fig.
T
J
= 125°C 17
ns
mJ
pF
See Fig. 7
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
di
(rec)M
/dt
Diode Peak Rate of Fall of Recovery
During t
b
A/μs
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%.
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH,
R
G
= 50
, ( See fig. 19 )
Pulse width 5.0μs, single
shot.
Repetitive rating; V
GE
=20V, pulse width
limited by max. junction temperature.
( See fig. 20 )
Notes:
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Min. Typ. Max. Units
600
–––
0.72
–––
1.41
–––
1.66
–––
1.42
3.0
–––
–––
-11
2.9
5.0
–––
–––
–––
––– 1700
–––
1.4
–––
1.3
–––
––– ±100
Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 250μA
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0mA
I
C
= 4.8A
I
C
= 8.8A
I
C
= 4.8A, T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
CE
= 100V, I
C
= 4.8A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V, T
J
= 150°C
I
C
= 8.0A
I
C
= 8.0A, T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
–––
–––
1.7
–––
–––
6.0
––– mV/°C
–––
250
V
V/°C
V
GE
= 15V
See Fig. 2, 5
V
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
Temperature Coeff. of Threshold Voltage
g
fe
Forward Transconductance
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Gate Threshold Voltage
S
μA
V
FM
Diode Forward Voltage Drop
1.7
1.6
V
See Fig. 13
I
GES
Gate-to-Emitter Leakage Current
nA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPX303D TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 60V V(BR)DSS | 19.1A I(D)
CPX313D TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 8.5A I(D)
CPY135A TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 250V V(BR)DSS | 19A I(D)
CPY155A TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 250V V(BR)DSS | 11A I(D)
CPY135P TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 250V V(BR)DSS | 19A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPV362M4FPBF 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans IGBT Module N-CH 600V 8.8A 13-Pin IMS-2
CPV362M4K 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2 RoHS:否 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CPV362M4U 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2 RoHS:否 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CPV362M4UPBF 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 7.2A 600V IMS-2
CPV362MF 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT
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