參數(shù)資料
型號(hào)： CPH6621
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
中文描述： P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： CPH6621
CPH6621
No. A0847-3/4
IT02659
0
--0.6
--0.4
--0.2
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--0.01
--10
--1.0
--0.1
7
5
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
VGS=0V
-
°
C
2
°
C
T7
°
C
0
10
--5
100
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
--20
--10
--15
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT02661
IT02658
--0.01
0.1
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
2
3
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
VDS= --10V
75
°
C
25
°
C
Ta=-25
°
C
y
fs
-- ID
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
F
y
f
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
S
IS -- VSD
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
S
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
A S O
IDP= --6.0A
C
Total Gate Charge, Qg -- nC
G
IT02660
0
0
--1
--2
--3
--4
3
3.5
1
2
2.5
0.5
1.5
VDS= --10V
ID= --1.5A
IT04051
3
--0.1
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
100
7
5
3
2
10
7
5
VDD= --10V
VGS= --4V
td(on)
td(off)
tr
tf
0
--1
--2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--3
--4
--5
--6
200
100
300
400
500
600
0
--7
--8
--9
--10
Ta=25
°
C
IT02656
ID= --0.4A
--0.8A
RDS(on) -- Ta
IT02657
ID= --0.4A, VGS= --2.5V
ID= --0.8A, VGS= --4.0V
--60
0
100
200
300
400
500
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
RDS(on) -- VGS
S
O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
DCoprton
(T=25
°
C
1m
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
--0.1
--0.01
2
3
5 7
2
2
3
3
5
5
7
7
2
5
3
--0.01
--0.1
--10
--1.0
IT12454
PW
≤
10
μ
s
100
μ
s
10m
ID= --1.5A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
2
0.8mm)
1unit
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PDF描述
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