參數(shù)資料
型號: CPH6621
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
中文描述: P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設備
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商: CPH6621
CPH6621
No. A0847-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--1.5A
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--1.5A
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--1.5A
IS=--1.5A, VGS=0V
10
35
32
27
3.2
0.8
0.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
--0.87
--1.5
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7018A-010
Electrical Connection
Switching Time Test Circuit
1 : Gate1
2 : Source2
3 : Gate2
4 : Drain2
5 : Source1
6 : Drain1
SANYO : CPH6
3
2
1
6
4
5
2.9
0.05
0.4
2
1
0
0
0
0
0
0.15
0.95
PW=10
μ
s
D.C.
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --0.8A
RL=12.5
VDD= --10V
VOUT
CPH6621
VIN
0V
--4V
VIN
0
0
--0.2
--0.4
--1.0
--1.2
--1.4
--2.0
--1.6
--1.8
--0.2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--0.8
--0.6
0
--0.2
--0.4
--1.0
--1.2
--1.4
--2.0
--1.6
--1.8
--0.8
--0.6
--0.5
--1.0
--0.8
--0.9
--0.1
--0.3
--0.4
--0.6
--0.7
VGS= --1.5V
-.V
-20V
-.V
IT02654
-.V
0
--0.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
VDS= --10V
2
°
C
-5
°
C
T=5
°
C
IT02655
ID -- VGS
D
ID -- VDS
D
6
5
4
1
2
3
1 : Gate1
2 : Source2
3 : Gate2
4 : Drain2
5 : Source1
6 : Drain1
Top view
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH6622 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6704 CPH6704
CPH6801 P-Channel Silicon MOSFET+Schottky Barrier Diode for DC/DC Converter Applications(DC/DC變換器應用的P溝道硅MOSFET+肖特基勢壘二極管)
CPT-182 Surface Mountable Chip Photo-transistor CPT-182 Series
CR02101J30B THICK FILM CHIP RESISTOR SERIES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPH6622 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6623 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6635-TL-H 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V,20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):400mA,1.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 歐姆 @ 80mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000
CPH6636R-TL-W 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH+NCH 6A 24V 2.5V DRIVE - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL - NCH+NCH 6A 24V 2.5V DRIVE
CPH6701 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications