參數(shù)資料
型號: CPH5706
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代理商: CPH5706
CPH5705
No.6591-2/5
+
+
50
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL
VCC= –5V
220
μ
F
470
μ
F
10
μ
s
VBE=5V
–20IB1= 20IB2= IC= –1.5A
PW=20
μ
s
D.C.
1%
IB2
IB1
50
100
10
trr
1
1
1
–5V
Duty
10%
[TR]
[SBD]
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
[TR]
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
[SBD]
Reverse Voltage
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=--12V, IE=0
VEB=--4V, IC=0
VCE=--2V, IC=--0.5A
VCE=--2V, IC=--0.5A
VCB=--10V, f=1MHz
IC=--1.5A, IB=--30mA
IC=--1.5A, IB=--30mA
IC=--10
μ
A, IE=0
IC=--1mA, RBE=
IE=--10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
--0.1
--0.1
560
μ
A
μ
A
200
380
25
--155
--0.83
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
--230
--1.2
--30
--30
--5
50
270
25
VR
VF1
VF2
IR
C
trr
Rth j-a
IR=1mA
IF=0.5A
IF=1A
VR=6V
VR=10V, f=1MHz
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit
Mounted on a ceramic board (600mm
2
0.8mm)
15
V
V
V
μ
A
pF
ns
°
C/W
Forward Voltage
0.30
0.35
0.35
0.40
500
Reverse Current
Interterminal Capacitance
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance
42
15
110
Electrical Connection
Switching Time Test Circuit
trr Test Circuit
C
C
A
E
B
(Top view)
相關PDF資料
PDF描述
CPH6303 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSOP
CPH6304 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSOP
CPH6316
CPH6318
CPH6319
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參數(shù)描述
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CPH5804 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:CPH5804