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參數(shù)資料
| 型號： | CPH5606 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-25 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|一對|互補| 30V的五（巴西）直| 1A條（丁）|采用SOT - 25 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | CPH5606 |
No.6451-3/6
CPH5606
0
0
0.2
0.4
0.6
1.2
1.0
1.8
1.4
2.0
1.6
0.2
Drain-to-Source Voltage,V
DS
– V
0.8
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
ID -- VDS
VGS=2.5V
1.V
80
3.0V
3.5V
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IT01096
[Nch]
[Nch]
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
5.5
4.0
4.5
5.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
4.0
3.0
3.5
ID -- VGS
VDS=10V
7
°
C
2
°
C
T=2
°
C
IT01097
[Nch]
RDS(on) -- Ta
IT01099
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160
140
[Nch]
0
4
Gate-to-Source Voltage,V
GS
– V
8
12
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200
300
400
500
600
700
800
0
16
20
2
6
10
14
18
RDS(on) -- VGS
Ta=25
°
C
IT01098
ID=700mA
400mA
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--1.2
--1.0
--1.4
--1.6
--0.2
Drain-to-Source Voltage,V
DS
– V
--0.8
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
ID -- VDS
VGS=--2.5V
-80V
-1.V
--3.0V
--3.5V
--4.0V
-60V
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[Pch]
[Pch]
0
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--2
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--3.0
ID -- VGS
VDS=--10V
7
°
C
2
°
C
T=2
°
C
IT01086
[Pch]
RDS(on) -- Ta
IT01088
ID=-300mA, VGS=-4V
ID=--500mA, VGS=--10V
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[Pch]
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Gate-to-Source Voltage,V
GS
– V
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1000
0
--14
--16
--18
--20
RDS(on) -- VGS
Ta=25
°
C
IT01087
ID=--500mA
--300mA
D
D
D
D
D
D
Gate-to-Source Voltage,V
GS
– V
D
D
Gate-to-Source Voltage,V
GS
– V
S
O
D
S
O
D
Ambient Temperature,Ta – C
S
O
D
Ambient Temperature,Ta – C
S
O
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH5705 | |
| CPH5706 | |
| CPH6303 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSOP |
| CPH6304 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TSOP |
| CPH6316 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| CPH5614 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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