參數(shù)資料
型號： CPH3325
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
中文描述： P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： CPH3325
CPH3325
No.7924-3/4
0
0.5
1.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
--2
--4
--6
--8
--10
VGS -- Qg
IT06243
A S O
2
3
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--0.1
--0.01
--0.001
2 3
5 7
2 3
5 7
--0.1
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--0.01
--1.0
2 3
5 7
5 7
--10
2
2
3
--100
IT06244
IDP= --1.2A
ID= --0.3A
10
μ
s
1m
10m
10m
DCoeainT=5
°
C
)
<10
μ
s
1.0
SW Time -- ID
IT06241
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT06239
--0.01
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
1.0
3
2
0.1
7
5
7
5
3
2
y
fs
-- ID
VDS= --10V
75
°
C
25
°
C
IT06240
--0.4
--0.6
Diode Forward Voltage, VSD -- V
--0.8
--1.0
--1.2
--0.01
--0.1
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS=0
-
°
C
2
°
C
T7
°
C
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
1.0
100
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
IT06242
Ciss
f=1MHz
Crss
Coss
Ta=-25
°
C
VDS= --50V
ID= --0.3A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Drain Current, ID -- A
S
Drain Current, ID -- A
F
y
f
F
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
C
G
D
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm
2
0.8mm)
--0.1
2
3
5
--1.0
7
3
2
10
7
5
5
3
2
VDD= --50V
VGS= --
10
V
td(on)
td(off)
tr
tf
0
0
20
40
Ambient Temperature, Ta --
°
C
0.2
0.4
0.6
0.8
0.9
1.0
1.2
60
80
100
120
140
160
IT06245
A
Mounedonaceamcboad900mm
2
08mm
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PDF描述
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CPH3331 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
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