參數(shù)資料
型號(hào)： CMPT3904E
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
中文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 330K
代理商： CMPT3904E
CMPT3904E NPN
CMPT3906E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3904E and
CMPT3906E are Enhanced versions of the CMPT3904
and CMPT3906 complementary switching transistors in
a SOT-23 surface mount package, designed for small
signal switching applications, interface circuit & driver
circuit applications.
MARKING CODE: CMPT3904E: C1AE
CMPT3906E: C2AE
ENHANCED SPECIFICATIONS:
BVCBO from 40V min to 60V min. (CMPT3906E)
BVEBO from 5.0V min to 6.0V min. (CMPT3906E)
VCE(SAT) from 0.3V max to 0.2V max. (CMPT3904E)
from 0.4V max to 0.2V max. (CMPT3906E)
hFE from 60 min to 70 min. (CMPT3904E) (CMPT3906E)
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6.0
V
Continuous Collector Current
IC
200
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
CMPT3904E
CMPT3906E
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
50
nA
BVCBO
IC=10A
60
115
90
V
BVCEO
IC=1.0mA
40
60
55
V
BVEBO
IE=10A
6.0
7.5
7.9
V
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
0.057
0.050
0.100
V
VCE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
0.100
0.200
V
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
0.65
0.75
0.85
V
VBE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
0.85
0.95
V
hFE
VCE=1.0V, IC=0.1mA
90
240
130
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0mA
100
235
150
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
215
150
300
hFE
VCE=1.0V, IC=50mA
70
110
120
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
30
50
55
Enhanced specification
SOT-23 CASE
R3 (1-February 2010)
www.centr a lsemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMPT3906E
CMPT3906TR
CMPTA42E
CMPTA92E
CMPTA56TR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMPT3904E TR 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CMPT3904E_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMPT3904G 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMPT3904G TR 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMPT Series 40 V 200 mA NPN Surface Mount Silicon Transistor - SOT-23
CMPT3904G-LEAD FREE 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 350mW RoHS Halogen Free 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 350mW RoHS Halogen Free - free partial T/R at 500.
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*