參數(shù)資料
型號： CMPTA42E
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
中文描述： 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 327K
代理商： CMPTA42E
CMPTA42E NPN
CMPTA92E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
HIGH VOLTAGE
SILICON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA42E and
CMPTA92E are Enhanced versions of the CMPTA42
and CMPTA92 complementary surface mount high
voltage transistors.
MARKING CODES: CMPTA42E: C1DE
CMPTA92E: C2DE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
350
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
350
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6.0
V
Continuous Collector Current
IC
500
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
TYP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
CMPTA42E
CMPTA92E
MAX
UNITS
ICBO
VCB=200V
250
nA
IEBO
VEB=3.0V
100
nA
BVCBO
IC=100A
350
590
500
V
BVCEO
IC=1.0mA
350
475
450
V
BVEBO
IE=100A
6.0
8.7
9.6
V
VCE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA
125
150
350
mV
VBE(SAT)
IC=20mA, IB=2.0mA
0.9
V
hFE
VCE=10V, IC=1.0mA
50
110
105
hFE
VCE=10V, IC=10mA
50
110
105
hFE
VCE=10V, IC=30mA
50
110
105
fT
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
50
75
MHz
Cob
VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz
6.0
pF
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
BVCBO from 300V min to 350V min.
BVCEO from 300V min to 350V min.
hFE from 25 min to 50 min.
Enhanced specification
SOT-23 CASE
R3 (3-February 2010)
www.centra lsemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMPTA92E
CMPTA56TR
CMPTA06TR
CMPTA92
CMRA2455-10
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參數(shù)描述
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CMPTA42NPN 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
CMPTA44 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMPTA44 TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMPTA44_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT EXTREMELY HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTOR
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