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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CMMT591A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 40V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | CMMT591A |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
PNP transistor
Marking
CMMT = 591
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current
Peak Pulse current
Base current
Total power dissipation at T
amb
= 25°C
Junction temperature
D.C. current gain
–I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
80 V
60 V
5 V
1 A
2 A
200 mA
500 mW
150 ° C
h
FE
min.
max.
100
300
Transition frequency at f = 100 MHz
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V
f
T
min.
150 MHz
CMMT591
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
3
2
1
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
SOT-23 Formed SMD Package
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