參數(shù)資料
型號： CMLT5078E
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PICOMINI-6
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 519K
代理商： CMLT5078E
CMLT5078E NPN/PNP
CMLT5087E PNP/PNP
CMLT5088E NPN/NPN
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
SILICON DUAL TRANSISTORS
SOT-563 CASE - MECHANICAL OUTLINE
CMLT5087E
CMLT5088E
MARKING CODE: L87
MARKING CODE: L78
MARKING CODE: L88
LEAD CODE:
1) Emitter Q1
2) Base Q1
3) Collector Q2
4) Emitter Q2
5) Base Q2
6) Collector Q1
CMLT5078E
PIN CONFIGURATIONS
www.centra lsemi.com
R3 (20-January 2010)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMLT5087E
CMLT5088E
CMLT7820G
CMNT3906E
CMNT3904E
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMLT5078E_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS
CMLT5087E 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual - PNP/PNP Enhanced RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMLT5087E TR 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CMLT5087EM 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT DUAL, MATCHED PNP SILICON TRANSISTORS
CMLT5087EM TR 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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