參數(shù)資料
型號： CMBTA05
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至236AA
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： CMBTA05
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
P–N–P transistor
Marking
CMBTA55 = 2H
CMBTA56 = 2G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
CMBT A 55
max.
max.
max.
max.
A 56
80 V
80 V
V
Collector–base voltage (open emitter)
Collector–emitter voltage (open base)
Emitter–base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Total power dissipation up to T
amb
= 25 °C
D.C. current gain
–I
C
= 100 mA; –V
CE
= 1 V
Transition frequency at f = 100 MHz
–I
C
= 100 mA; –V
CE
= 1 V
Collector–emitter saturation voltage
–I
C
= 100 mA; I
B
= 10 mA
–V
CBO
–V
CEO
–V
EBO
–I
C
P
tot
60
60
4
500
250
mA
mW
h
FE
min.
100
f
T
min.
50
MHz
V
CEsat
max.
0.25
V
CMBTA55
CMBTA56
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
2
1
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
SOT-23 Formed SMD Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMBTA06 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
CMBTA14 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300MA I(C) | TO-236AA
CMBTA55 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
CMBTA92 TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
CMBTA93 TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMBTA06 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si Planar Trans NPN,0.5A,80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBTA06-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBTA06T/-W 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBTA13 功能描述:兩極晶體管 - BJT Darlington Trans SOT23,NPN,0.3A,30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBTA13-T 功能描述:達林頓晶體管 NPN 0.3A 30V Darling RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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