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參數(shù)資料
| 型號： | CMBT5088 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|的SOT - 23VAR |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | CMBT5088 |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 2 of 3
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Total power dissipation at T
amb
= 25°C
Storage temperature
Junction temperature
V
EBO
I
C
P
tot
*
T
stg
T
j
max.
max.
max.
-55 to +150 ° C
max.
3 V
50 mA
225 mW
150 ° C
THERMAL RESISTANCE
From junction to ambient
R
th j–a
417 °/ W
CHARACTERISTICS
(at T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
E
= 0; V
CB
= 35 V
I
CBO
max.
max.
10 nA
50 nA
Breakdown voltages
I
C
= 1 mA; I
B
= 0
I
C
= 100 μA; I
E
= 0
V
CEO
V
CBO
min.
min.
50 V
50 V
Saturation voltage
I
C
= 10 mA; I
B
= 1.0 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 1.0 mA
V
CEsat
V
BEsat
max.
max.
300 mV
0.85 V
D.C. current gain
I
C
= 100 μA; V
CE
= 5 V
h
FE
min.
max.
250
800
I
C
= 1 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
min.
250
min.
250
Collector capacitance at f = 100 KHz
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
C
ob
max.
4.0 pF
Transition frequency at f = 20 MHz
I
C
= 500 μA; V
CE
= 5 V
f
T
min.
40 MHz
Small signal current
IC = 1 mA; VCE = 5 V; f = 1 KHz
h
fe
min.
max.
250
900
Noise figure
I
C
= 20 μA; V
CE
= 5 V; R
S
= 10 k
W
f = 10 Hz to 15.7 KHz
I
C
= 100 μA; V
CE
= 5 V; R
S
= 3.0 k
W;
f = 1.0 KHz
N
F
max.
2.0 dB
N
F
max.
2.0 dB
*FR-5 Board = 1.0 × 0.75 × 0.62 in.
CMBT5087
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMBT5089 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
| CMBT5400 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| CMBT5401 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| CMBT5550 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-236AA |
| CMBT6517 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CMBT5089 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| CMBT5400 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| CMBT5401 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP,0.5A,150V HighVolt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT5401-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.5A 150V HV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT5401T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.5A 150V HV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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