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參數資料
| 型號： | CMBT5550 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-236AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 140伏特五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至236AA |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | CMBT5550 |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
PNP transistor
Marking
CMBT5087= 2Q
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current
Total power dissipation at T
amb
= 25°C
Junction temperature
D.C. current gain
–I
C
= 100 μA; V
CE
= 5 V
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
*
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
max.
50 V
50 V
3 V
50 mA
225 mW
150 ° C
h
FE
min.
max.
250
800
Transition frequency at f = 20 MHz
I
C
= 500 μA; V
CE
= 5 V
f
T
min.
40 MHz
RATINGS
(at T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Limiting values
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
V
CBO
V
CEO
max.
max.
50 V
50 V
CMBT5087
*FR-5 Board = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
2
1
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
SOT-23 Formed SMD Package
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMBT6517 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| CML7A1GD6G | Optoelectronic |
| CML7A1RD7R | Optoelectronic |
| CML7A1RD8R | Optoelectronic |
| CML7A1RD9R | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CMBT5551 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V HighVolt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT5551-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 160V HV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT5551T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 160V HV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT6517 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
| CMBT6520 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:HIGH?VOLTAGE TRANSISTOR |
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