參數(shù)資料
型號(hào)： CM150DY-24H
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
中文描述： 大功率開關(guān)使用絕緣型
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： CM150DY-24H
Sep.1998
TIME, (s)
N
t
IMPETRANSI(IGBT)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.11
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
TIME, (s)
N
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE (FWDi)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.24
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM150DY-24H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM150DY-24H Dual IGBTMOD 150 Amperes/1200 Volts
CM150E3U-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-12H Chopper IGBTMOD 150 Amperes/600 Volts
CM150E3U-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-24H Chopper IGBTMOD 150 Amperes/1200 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM150DY-24NF 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A NF SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM150DY-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM150DY-28H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 150A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM150DY-34A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 150A A SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM150DY-34A_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
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