參數(shù)資料
型號： CM150DY-24H
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
中文描述： 大功率開關(guān)使用絕緣型
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： CM150DY-24H
Sep.1998
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
C
,
OUTPUT (TYPICAL)
300
0
2
4
6
8
10
150
50
0
V
GE
= 20V
15
12
11
8
7
T
j
= 25
o
C
100
200
250
10
9
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
C
C
,
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
300
0
4
8
12
16
20
200
150
100
50
0
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
250
COLLECTOR-CURRENT, I
C
, (AMPERES)
C
S
C
,
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VO(TYPICAL)
5
0
50
100
150
200
300
4
3
2
1
0
250
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
C
S
C
,
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VO(TYPICAL)
10
0
4
8
12
16
20
8
6
4
2
0
T
j
= 25°C
I
C
= 60A
I
C
= 300A
I
C
= 150A
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V
EC
, (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWAR(TYPICAL)
E
E
,
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
i
,
o
,
r
,
CAPA(TYPICAL)
CE
10
-1
10
0
10
2
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
GE
= 0V
10
1
C
ies
C
oes
C
res
EMITTER CURRENT, I
E
, (AMPERES)
R
r
,
REVERSE REC(TYPICAL)
10
1
10
2
10
3
10
2
10
3
t
rr
I
rr
di/dt = -300A/
μ
sec
T
j
= 25°C
10
1
10
0
R
r
,
10
1
10
2
GATE CHARGE, Q
G
, (nC)
G
G
,
GATE CHARGE, V
GE
20
0
200
400
600
800
1000
16
12
8
4
0
V
CC
= 400V
I
C
= 150A
1200
V
CC
= 600V
COLLECTOR CURRENT, I
C
, (AMPERES)
SWITCHIH(TYPICAL)
S
10
1
10
3
7
5
3
2
1.0
1.5
2.0
10
2
7
5
3
2
2.5
3.0
3.5
T
j
= 25°C
10
10
3
7
5
3
2
10
1
2
3
5 7
10
2
10
2
7
5
3
2
2
3
5 7
10
3
t
d(off)
V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 2.1
T
j
= 125°C
t
d(on)
t
f
t
r
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM150DY-24H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM150DY-24H Dual IGBTMOD 150 Amperes/1200 Volts
CM150E3U-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-12H Chopper IGBTMOD 150 Amperes/600 Volts
CM150E3U-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-24H Chopper IGBTMOD 150 Amperes/1200 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM150DY-24NF 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A NF SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM150DY-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM150DY-28H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 150A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM150DY-34A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 150A A SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM150DY-34A_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*