參數(shù)資料
型號： CM100TF-24H
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
中文描述： 大功率開關使用絕緣型
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 93K
代理商： CM100TF-24H
Mar.2003
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
t
rr
I
rr
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT I
E
(A)
R
r
(
R
r
(
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.1
T
j
= 25
°
C
Inductive load
10
–
3
10
–
5
10
–
4
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
2 3 57
2 3 57
2 3 57
2 3 57
10
1
10
–
2
10
–
1
10
0
10
–
3
10
–
3
5
3
2
10
–
2
5
3
2
10
–
1
2 3 57
2 3 57
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT part & FWDi part)
N
T
t
–
c
TMIE (s)
IGBT part:
Per unit base =
R
th(j
–
c)
= 0.19
°
C/W
FWDi part:
Per unit base =
R
th(j
–
c)
= 0.35
°
C/W
0
4
8
16
12
20
0
400
200
800
1000
600
GATE CHARGE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
G
G
(
GATE CHARGE Q
G
(nC)
V
CC
= 600V
V
CC
= 400V
I
C
= 100A
相關PDF資料
PDF描述
CM100E3U-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100E3U-12H Chopper IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts
CM100E3U-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100E3U-24H Chopper IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts
CM100TF-12H 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CM100TF28H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100TF-28H 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 100A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM100TJ-12F 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design 100 Amperes/600 Volts
CM100TJ-24F 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/1200 Volts
CM100TL-12NF 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 100A NF SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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