參數(shù)資料
型號： CM100TF-24H
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
中文描述： 大功率開關(guān)使用絕緣型
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： CM100TF-24H
Mar.2003
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
PERFORMANCE CURVES
200
160
40
120
80
00
4
6
8
10
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
T
j
= 25
°
C
12
11
10
9
V
GE
=
20V
2
15
13
4
3
2
1
00
200
150
100
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
V
GE
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
50
10
8
6
4
2
0
20
12
14
6
8
10
16
18
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
T
j
= 25
°
C
I
C
= 200A
I
C
= 40A
I
C
= 100A
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
0
1
2
4
3
5
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
10
–
1
10
0
10
–
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
C
ies
C
oes
C
res
V
GE
= 0V
10
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
10
2
5
7
10
3
2
3
5
7
2
3
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.1
T
j
= 125
°
C
Inductive load
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM100E3U-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100E3U-12H Chopper IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts
CM100E3U-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100E3U-24H Chopper IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts
CM100TF-12H 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM100TF28H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100TF-28H 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 100A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM100TJ-12F 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design 100 Amperes/600 Volts
CM100TJ-24F 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/1200 Volts
CM100TL-12NF 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 100A NF SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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