參數(shù)資料
型號(hào)： CM100DY-12H
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Dual IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 47K
代理商： CM100DY-12H
Sep.1998
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
C
,
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
200
0
2
4
6
8
10
150
50
0
V
GE
= 20V
15
12
11
8
7
T
j
= 25
o
C
100
10
9
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
C
C
,
TRANSFE(TYPICAL)
200
0
4
8
12
16
20
150
100
50
0
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
COLLECTOR-CURRENT, I
C
, (AMPERES)
C
S
C
,
SATURATICOLL(TYPICAL)
5
0
50
100
150
200
4
3
2
1
0
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
C
S
C
,
SATURATICOLL(TYPICAL)
10
0
4
8
12
16
20
8
6
4
2
0
T
j
= 25°C
I
C
= 40A
I
C
= 200A
I
C
= 100A
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
10
1
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V
EC
, (VOLTS)
FORFRE(TYPICAL)
10
2
10
3
E
E
,
T
j
= 25°C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
i
,
o
,
r
,
CAPACITANCE VS. V
CE
(TYPICAL)
10
-1
10
0
10
2
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
GE
= 0V
10
1
C
ies
C
oes
C
res
EMITTER CURRENT, I
E
, (AMPERES)
R
r
,
REVERSE REC(TYPICAL)
R
r
,
COLLECTOR CURRENT, I
C
, (AMPERES)
S
HALF-BRIDGE
SWITCHIN(TYPICAL)
GATE CHARGE, Q
G
, (nC)
G
G
,
GATE CHARGE, V
GE
20
0
100
200
300
400
16
12
8
4
0
V
CC
= 200V
I
C
= 100A
500
V
CC
= 300V
10
10
3
7
5
3
2
10
0
2
3
5 7
10
1
10
2
7
5
3
2
2
3
5 7
10
2
t
d(off)
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 6.3
T
j
= 125°C
t
d(on)
t
f
t
r
10
10
3
7
5
3
2
10
0
2
3
5 7
10
1
10
2
7
5
3
2
2
3
5 7
10
2
10
0
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
–di/dt = 200A/
μ
s
T
j
= 25°C
t
rr
l
rr
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM100DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100DY-24H Dual IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts
CM100DY HIGH POWER SWITCHING USE
CM1000HA24H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 1KA I(C)
CM100DY12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM100DY-24A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 100A A SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM100DY-24A_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM100DY24E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY24H 制造商:MIT 功能描述:_ 制造商:MITSUBISHI 功能描述:CM100DY-24H
CM100DY-24H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 100A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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