參數(shù)資料
型號(hào)： CM100DY-24H
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
中文描述： 大功率開關(guān)使用絕緣型
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： CM100DY-24H
Sep.1998
Dimensions
Inches
Millimeters
A
3.70
94.0
B
3.150
±
0.01
80.0
±
0.25
C
1.89
48.0
D
1.18 Max.
30.0 Max.
E
0.90
23.0
F
0.83
21.2
G
0.71
18.0
H
0.67
17.0
J
0.62
16.0
Description:
Mitsubishi IGBT Modules are de-
signed for use in switching appli-
cations. Each module consists of
two IGBTs in a half-bridge configu-
ration with each transistor having a
reverse-connected super-fast re-
covery free-wheel diode. All com-
ponents and interconnects are iso-
lated from the heat sinking base-
plate, offering simplified system
assembly and thermal manage-
ment.
Features:
u
Low Drive Power
u
Low V
CE(sat)
u
Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
u
High Frequency Operation
u
Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Applications:
u
AC Motor Control
u
Motion/Servo Control
u
UPS
u
Welding Power Supplies
Ordering Information:
Example: Select the complete part
module number you desire from
the table below -i.e. CM100DY-24H
is a 1200V (V
CES
), 100 Ampere
Dual IGBT Module.
Type
Current Rating
Amperes
V
CES
Volts (x 50)
CM
100
24
Dimensions
Inches
Millimeters
K
0.51
13.0
L
0.47
12.0
M
0.30
7.5
N
0.28
7.0
P
0.256 Dia.
Dia. 6.5
Q
0.31
8.0
R
M5 Metric
M5
S
0.16
4.0
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
Outline Drawing and Circuit Diagram
B
C
F
D
Q
A
S
S
G
K
L
M
P - DIA. (2 TYP.)
R - M5 THD (3 TYP.)
E
E
H
H
N
C2E1
J
N
J
J
C1
E2
G
E
E1
C1
E2
TAB#110 t=0.5
G1
E2
G2
C2E1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM100DY-24H Dual IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts
CM100DY HIGH POWER SWITCHING USE
CM1000HA24H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 1KA I(C)
CM100DY12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY12H TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM100DY-24NF 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 100A NF SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM100DY-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM100DY28 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY28H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
CM100DY-28H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 100A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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