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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CM100DUS-12F |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE |
| 中文描述： | 大功率開(kāi)關(guān)使用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | CM100DUS-12F |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM100DY-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM100DY-12H | Dual IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts |
| CM100DY-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM100DY-24H | Dual IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts |
| CM100DY | HIGH POWER SWITCHING USE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CM100DUS-12F_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM100DY | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM100DY12E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
| CM100DY12H | 制造商:DUO 功能描述:CM100DY-12H |
| CM100DY-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 100A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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