參數(shù)資料
型號： CLY38
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel C-Band GaAs Power-MESFET
中文描述： 伊雷爾C波段砷化鎵功率場效應管
文件頁數(shù)： 3/9頁
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代理商： CLY38
CLY38
S emiconductor Group
3 of 10
Draft D, S eptember 99
Electrical Characteristics
(at T
A
=25°C; unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Drain-source saturation current
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
I
Dss
2.4
3.8
5.2
A
Gate threshold voltage
V
DS
= 3 V, I
D
= 160 mA
-V
Gth
1.6
2.6
3.6
V
Drain current at pinch-off, low V
DS
V
DS
= 3 V, V
GS
= -3.8 V
I
Dp3
-
-
400
μA
Gate current at pinch-off, low V
DS
V
DS
= 3 V, V
GS
= -3.8 V
-I
Gp3
-
-
160
μA
Drain current at pinch-off, high V
DS
V
DS
= 12 V, V
GS
= -4 V
I
Dp12
-
-
8000
μA
Gate current at pinch-off, high V
DS
V
DS
= 12 V, V
GS
= -4 V
-I
Gp12
-
-
3200
μA
Transconductance
V
DS
= 3 V, I
D
= 720 mA
g
m
900
1100
-
mS
Thermal resistance
junction to soldering point
V
DS
= 9 V, I
D
= 720 mA, T
s
= +25°C
R
th J S
-
3.8
-
K/W
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PDF描述
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