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- 三極管 5N3011進(jìn)口電子元器件芯片
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):5N3011 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 加工定制:否 | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：電子元器件電子芯片三極管芯片
- 3-9 個(gè)
  
  ￥5.00
- 10-49 個(gè)
  
  ￥4.00
- ≥50 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢價(jià)
- 2SK3000/N溝道場效應(yīng)管MOSFET 40V 1A SOT-23/低頻電源開關(guān)/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK3000 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 2SK2570ZL/低頻功率開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK2570ZL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- 3SK238XW/UHF射頻放大/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-143
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):3SK238XW | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管射頻場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 2SJ517YYTL/高速開關(guān)/P溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 2A SOT-89/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SJ517YYTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 2SJ574BPTL/P溝道場效應(yīng)管MOS 30V 300mA SOT-23/高速開關(guān)/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SJ574BPTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 2SJ451ZK/P溝道場效應(yīng)管MOS -20V -0.2A SOT-23/低頻開關(guān)/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SJ451ZK | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 2SJ317NY/P溝道場效應(yīng)管MOS -12V -2A SOT-89/高速電源開關(guān)/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SJ317NY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 sot-89場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 2SK3290BNTL/高速開關(guān)/N溝道耗盡型場效應(yīng)管MOS/SOT-23/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK3290BNTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產(chǎn)品類型:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.43
- 詢價(jià)
- 2SK2980/N溝道場效應(yīng)管MOS 30V 1A SOT-23/高速電源開關(guān)/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK2980 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 2SK1835 K1835 日立高壓場效應(yīng)管 1500V
  
  品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號(hào):2SK1835 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO3P | 應(yīng)用范圍:功率
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管高壓場效應(yīng)管 1500v場效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥6.50
- 詢價(jià)
- 三極管H1061 HIT TO-220 環(huán)保
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):H1061 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 批號(hào):12+ | 封裝:TO-220
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-220三極管全新三極管 h1061三極管
- 詢價(jià)